دانلود رایگان


پاورپوینت کامل و جامع با عنوان منطق NMOS در - دانلود رایگان



دانلود رایگان منطق NMOS در الکترونیک دیجیتال

دانلود رایگان
پاورپوینت کامل و جامع با عنوان منطق NMOS در الکترونیک دیجیتال در 30 اسلاید
ماسفت شامل پایه های گیت(G)، درین(D)، سورس(S) و بدنه(B) ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET) معروف ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاه ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.
در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می شود.
مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می توان بسیار ریزتر و ساده تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع های پیچیده و مقیاس های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن ها را آسان می کند، چندان که هم اکنون بیش تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می شوند.
ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن ها شکل می گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان تر است و مساحتِ کم تری هم می گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک قطبی هم می نامند.
اصل اساسی این نوع ترانزیستور برای اولین بار توسط جولیوس ادگار Lilienfeld در سال ۱۹۲۵به ثبت رسید. بیست و پنج سال بعد، هنگامی که اقدام به ثبت اختراع ترانزیستور اتصال کرد، آنها دریافتند Lilienfeld در حال حاضر برگزاری یک ثبت اختراع که در راه است که می تواند شامل تمام انواع ترانزیستورهاشود. آزمایشگاه های بل قادر به کار کردن توافق با Lilienfeld، کسی که هنوز زنده بود بودند (که معلوم نیست آنها به او پول پرداخت کردند یا نه). که در آن زمان به نسخه آزمایشگاه های بل ترانزیستور اتصال دو قطبی، و یااتصال به سادگی ترانزیستور (simply junction transistor) نام داده شد، و طراحی Lilienfeld نام ترانزیستور اثر میدانی بر گرفت.
در سال ۱۹۵۹، Dawon Kahng و مارتین M.Atalla در آزمایشگاه های بل، فلز اکسید نیمه هادی ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) به عنوان شاخه ای به طراحی FET اختراع شد.
عملکرد و ساختارهای مختلف از اتصال دو قطبی ترانزیستور، MOSFET با قرار دادن یک لایه عایق در سطح نیمه هادی و سپس با قرار دادن یک الکترود گیت فلزی که در آن ساخته شده بود. این سیلیکون کریستالی نیمه هادی است و از لایه ای از دی اکسید سیلیکون اکسیده حرارتی برای عایق استفاده می شود. MOSFET سیلیکون تله الکترونی موضعی در رابط بین لایه سیلیکون و اکسید آن، بومی تولید نیست، و در نتیجه ذاتاً عاری از تجملات و تزئینات و پراکندگی از حامل های که مانع عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی زودتر بود. پس از توسعه اتاق تمیز به منظور کاهش آلودگی به سطوح پیش از این فکر لازم است، و و فرایند دو وجهی اجازه می دهد تا مدارات را در مراحل بسیار کمی ساخته شده باشد، این نوع سیستم SiO2 دارای جاذبه های فنی به عنوان هزینه پایین تولید (بر اساس هر مدار) و سهولت یکپارچه سازی است. علاوه بر این، با استفاده از روش اتصال دو MOSFETهای مکمل (P-کانال و N-کانال) را به یکی از سوئیچ بالا / پایین، شناخته شده به عنوان CMOS، این بدان معنی است که مدارهای دیجیتالی پاشیدن قدرت بسیار کمی به جز زمانی که در واقع روشن است. عمدتاً به دلیل این سه عامل، MOSFET تبدیل شده است با توجه به نوع ترانزیستور به طور گسترده ای مورد استفاده در مدارات مجتمع است.

فهرست مطالب:
مقدمه
معکوس کننده NMOS
حذف مقاومت
مشخصه انتقال ولتاژ
مشخصه انتقال گیت معکوس کننده
تعیین ولتاژ ورودی پائین
تعیین ولتاژ VIH
مثال 1
مثال 2
مثال 3
توان اتلافی
توان مصرفی
مثال 4
تاخیر انتشار
مثال 5
Fan-Out
مثال 6
ساخت گیت NOR با منطق NMOS
ساخت گیت NAND با منطق NMOS
ساخت گیت XOR با منطق NMOS
پیاده سازی توابع AND-OR-INVERT با منطق NMOS
پیاده سازی توابع عمومی با منطق NMOS


دریافت فایل
جهت کپی مطلب از ctrl+A استفاده نمایید نماید




منطق


NMOS


الکترونیک


دیجیتال


ولتاژ


تاخیر


انتشار


گیت


معکوس کننده


توان


مقاله


پاورپوینت


فایل فلش


کارآموزی


گزارش تخصصی


اقدام پژوهی


درس پژوهی


جزوه


خلاصه


کتاب آموزش کامل و جامع مدار منطقی | دانلود رایگان کتاب ...

و اما منطق بولی چیست؟ در ریاضیات و به خصوص در منطق ریاضی، جبر بولی زیر مجموعه‌ای از جبر است که در آن مقدار متغیرها، درست یا غلط است که در علوم کامپیوتر و دیجیتال همان قطع/وصل و یا ۱/۰ است.

پاورپوینت جامع و کامل درباره ورزش ژيمناستيـك | دانلود ۳۶۰ ...

پاورپوینت جامع و کامل درباره ... مي رفتند و در آنجا ... كه به عنوان يك ...

بنیان های منطق چیرگی خدمت 1 - پروژه ها

پاورپوینت کامل و جامع با عنوان تفکر سیستمی در ۴۲ اسلاید سیستم مجموعه‌ای از اجزای مرتبط است که در کلیّت خویش برای ایفای وظیفه‌ای مشخّص در …

بنیان های منطق چیرگی خدمت 1 - پروژه ها

پاورپوینت کامل و جامع با عنوان تفکر سیستمی در ۴۲ اسلاید سیستم مجموعه‌ای از اجزای مرتبط است که در کلیّت خویش برای ایفای وظیفه‌ای مشخّص در …

پاورپوینت جامع و کامل درباره ورزش ژيمناستيـك | دانلود ۳۶۰ ...

پاورپوینت جامع و کامل درباره ... مي رفتند و در آنجا ... كه به عنوان يك ...

پایان نامه اثر ریسک سیستماتیک بر بازده سهام

دانلود پروژه آشنایی با مخابرات ایران

کارآموزی در کارگاه الکترونیک‎

مقاله درباره نقش تغذیه در سلامت چشم

تحقیق درباره اثر وزن مولكولي و DD كيتين و كيتوسان

مبانی آموزش بزرگسالان

تحقیق درباره ساختمان سازي و راه

اصطلاحات و عبارات عامیانه در زبان انگلیسی به

کاربرد فناوری اطلاعات و ارتباطات در جنگ

مبانی آموزش بزرگسالان